本实用新型是一种低感大储能单圈式线圈结构，其包含：一磁体，所述的磁体是由一上磁体与一下磁体组成，所述的下磁体可设有槽沟，且所述的槽沟宽(高)与磁体整体宽(高)的比例为1/3以下；一导体，所述的导体是可穿伸设置在槽沟内，且所述的导体两侧向下弯折为端子；一间隙，所述的间隙设在上磁体与下磁体间；凭借所述的槽沟宽(高)与磁体整体宽(高)的比例在1/3以下，而缩短所述的电感所产生的磁路路径，同时可增加槽沟左右两侧磁体所能提供磁力线数流过的截面积，进而提升电感量，因此，在要求同一感值的电感下，本实用新型的间隙可较现有间隙为大，而方便加工生产且饱和储能效果与磁饱和都较佳，形成一种低感大储能单圈式线圈结构。