嵌套结构电离室

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种γ辐射的探测装置，具体为一种用于γ辐射探测的嵌套结构电离室。其结构包括置于屏蔽壳内的高压极和收集极，收集极上方设有收集连杆，收集连杆外套有绝缘子，其中，高压极的主体包围在收集极外部，高压极中间凸起部位置于收集极内，收集极的中部凸起置于高压极的中间凸起内，使高压极和收集极形成相互嵌套的结构。这种嵌套的结构使得电离室在测量范围的低端有足够大的输出电流，在测量范围的高端可以保证电离室的饱和度。

基本信息

专利标题：

嵌套结构电离室

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720195495.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-11-05

授权号：

CN201117620Y

授权日：

2008-09-17

发明人：

靳根钱仲敏陈明焌任智强任伟

申请人：

中国辐射防护研究院

申请人地址：

030006山西省太原市学府街102号

代理机构：

北京捷诚信通专利事务所

代理人：

魏殿绅

优先权：

CN200720195495.3

主分类号：

H01J47/02

IPC分类号：

H01J47/02 G01T1/00