半导体器件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
扩大互连的工艺裕度，以最小化在扫描型曝光设备的扫描移动期间产生的振动的影响。在半导体器件中，在包括最窄的互连或互连之间最窄的间隔的互连层中，以相同的取向布置处理大量的数据的互连，即经常使用的互连，使得互连的纵向对准扫描型曝光设备的扫描方向。因而，用图形的纵向对准振动方向能够最小化由振动引起的位置偏差。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101355081A
申请号 ：
CN200810145943.8
公开（公告）日 ：
2009-01-28
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松原义久小林弘昌
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
关兆辉
优先权 ：
CN200810145943.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/118 H01L23/528 H01L21/82 H01L21/768 G03F7/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2017-12-29 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 27/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京
2011-03-02 ：
授权
2009-03-25 ：
实质审查的生效
2009-01-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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