具有高反射光学薄膜结构的发光二极管
专利权的终止
摘要

本实用新型为一种具有高反射光学薄膜结构的发光二极管,其包含一基材、一结合于该基材上表面的发光结构层以及一高反射光学薄膜结构,该基材为透光的片状材料;该发光结构层为固定形成于该基材之上表面的发光半导体结构,该高反射光学薄膜结构与该基材形成一高反射阻抗匹配而固定形成于该基材的下表面,其包含复数层相互迭合的不同厚度及不同材料种类的介电光学薄膜;如此,该介电光学薄膜可以将该发光结构层产生的光输出几乎完全反射,达到增加出光效率的效果。

基本信息
专利标题 :
具有高反射光学薄膜结构的发光二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820003863.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-02-29
授权号 :
CN201207395Y
授权日 :
2009-03-11
发明人 :
林瑞奇
申请人 :
晶吉光电科技(上海)有限公司
申请人地址 :
200050上海市长宁区平塘路699号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200820003863.4
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
法律状态
2017-04-12 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101713573259
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2008200038634
申请日 : 20080229
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20160229
2009-03-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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