PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子镀设备

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及薄膜制备领域，具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子镀设备。该电弧离子镀设备设有靶材、旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座，真空室内设置基体夹座、靶材，靶材正面与基体夹座相对，靶材背面设有电磁线圈，置于真空室外的旋转磁场发生装置套在围绕于靶材之外的法兰套或者炉体管道上，与法兰套或者炉体管道之间通过绝缘保护。本实用新型通过PLC可控的多模式可编程调制的旋转横向磁场控制弧斑的运动，可以改善弧斑的放电形式和工作稳定性，提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率，减少靶材大颗粒的发射，用以制备高质量的薄膜以及功能薄膜，拓展电弧离子镀的应用范围。

基本信息

专利标题：

PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子镀设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820011753.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-03-26

授权号：

CN201162038Y

授权日：

2008-12-10

发明人：

肖金泉郎文昌孙超宫骏赵彦辉杨英华伟刚闻立时

申请人：

中国科学院金属研究所

申请人地址：

110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司

代理人：

张志伟

优先权：

CN200820011753.2

主分类号：

C23C14/32

IPC分类号：

C23C14/32 C23C14/54