大功率MOSFET驱动模块
专利权的终止
摘要
一种大功率MOSFET驱动模块，包括PCB线路板，板上布设有TO－220封装的MOSFET管、电容组和其它电器元件；MOSFET管分为上、下桥臂管，采用并联密植方式安装在PCB上，所述MOSFET管的散热片与散热器对应的面相贴，用卡子卡紧。与现有技术相比，本实用新型结构通过铝型材散热器使TO－220封装的MOSFET管设在PCB上达到密植并联方式，并用卡子使MOSFE管密贴在型材上，加工简单，而且有效解决安装压紧固定和散热的问题。采用2个“E”型散热器时，在上、下桥臂管所在的两个“E”型散热器之间还留出电容的安装位置，使PCB上印制线的走线距离短，高、低电压分离，很好解决了电磁干扰问题。并且本实用新型的结构构成一种独立的应用模块。
基本信息
专利标题 ：
大功率MOSFET驱动模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820031176.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-01-31
授权号 ：
CN201163755Y
授权日 ：
2008-12-10
发明人 ：
吕戍边徐小康
申请人 ：
徐小康
申请人地址 ：
211200江苏省南京市溧水县永阳新区水保路溧水县电子研究所有限公司
代理机构 ：
南京天翼专利代理有限责任公司
代理人 ：
汤志武
优先权 ：
CN200820031176.3
主分类号 ：
H02P6/08
IPC分类号 ：
H02P6/08 H01L23/34
法律状态
2016-03-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101651897749
IPC(主分类) : H02P 6/08
专利号 : ZL2008200311763
申请日 : 20080131
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20150131
号牌文件序号 : 101651897749
IPC(主分类) : H02P 6/08
专利号 : ZL2008200311763
申请日 : 20080131
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20150131
2008-12-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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