一种带有多晶硅场板的功率MOS场效应管，其特征在于对MOS场效应管有源区外围的终端保护结构进行了以下几方面改进：1.将单胞阵列的边缘单胞外围的P－阱直接作为场限环；2.将场限环P－区、截止环P－区和单胞阵列的P－阱作为同一制造层，由P型掺杂同时形成；3.省去原来由场氧，将场板结构改由栅氧化硅层与多晶硅组成；4.将场板中的多晶硅作为P型杂质离子注入的阻挡层直接形成场限环P－区，截止环P－区及单胞的P－阱；5.在P型掺杂之后直接进行N型掺杂，使得场限环P－区、截止环P－区和单胞阵列的P－阱三者上部均带N+区。本实用新型节省了有源区光刻版，场限环光刻版及源区注入三层光刻板，在保证产品性能的前提下，减少了光刻次数，大大降低制造成本，可适用于大批量低成本制造功率MOS场效应管。