碲镉汞母液合成装置
专利权的终止
摘要

一种碲镉汞母液合成装置,包括由高纯石墨制作的石墨舟,所述石墨舟包括自下而上装配在一起的下合成槽、成型槽和上合成槽,所述成型槽位于所述上合成槽内,所述下合成槽的槽的边缘有一密封定位环形凸棱,所述上合成槽的槽与所述密封定位环形凸棱相配合,所述上合成槽的槽的深度为所述密封定位环形凸棱的高度与所述成型槽的高度之和,所述成型槽具有若干个均匀分布纵向平行排列的独立小孔。利用本实用新型碲镉汞母液合成装置合成碲镉汞薄膜液相外延生长所使用的碲镉汞母液,方法简单,一次碲镉汞母液合成就能保证几十次外延母液组份是完全一致的,重复性和利用率大大提高,有利于降低成本。

基本信息
专利标题 :
碲镉汞母液合成装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820078931.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-02-03
授权号 :
CN201169651Y
授权日 :
2008-12-24
发明人 :
周立庆刘兴新巩锋
申请人 :
中国电子科技集团公司第十一研究所
申请人地址 :
100015北京市朝阳区酒仙桥路4号
代理机构 :
北京双收知识产权代理有限公司
代理人 :
解政文
优先权 :
CN200820078931.3
主分类号 :
C30B29/48
IPC分类号 :
C30B29/48  C30B19/00  H01L31/0296  H01L31/18  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
C30B29/48
AⅡBⅥ化合物
法律状态
2018-03-02 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 29/48
申请日 : 20080203
授权公告日 : 20081224
2008-12-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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