软轴单晶硅炉
专利权的终止
摘要

本实用新型属于一种软轴单晶硅炉,采用炉体位于底座上端,炉体上端设有炉盖,炉盖上端设有翻板阀,翻板阀上端为副室,副室上端设有晶体旋转机构和晶体提升机构,受晶体旋转机构和晶体提升机构控制的钢丝吊绳一端穿过副室和翻板阀及炉盖与位于炉膛内的重锤上端相接,翻板阀通过抽气阀门和抽气管连通真空抽气泵,炉体通过抽气管道和除尘筒连通真空抽气泵,副室和炉体侧边的支架上设有立柱,立柱上设有分段开启副室和炉盖的开启装置。本实用新型使提取制成的硅晶时仍保持炉膛的高温和抽真空状态,提高炉膛内的真空度和清洁度,以提高硅晶质量,降低制作成本,达到理想的使用效果。

基本信息
专利标题 :
软轴单晶硅炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820080642.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-05-15
授权号 :
CN201195765Y
授权日 :
2009-02-18
发明人 :
张志新王军安桂正
申请人 :
北京京运通科技有限公司
申请人地址 :
100044北京市西城区德胜门外大街11号
代理机构 :
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 :
闫立德
优先权 :
CN200820080642.7
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2018-06-08 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20080515
授权公告日 : 20090218
2009-12-30 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京京运通科技有限公司
变更后 : 北京京运通科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 北京市西城区德胜门外大街11号,邮编 : 100044
变更后 : 北京市北京经济技术开发区经海四路158号,邮编 : 100176
2009-02-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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