一种新型的锑/氧化锑pH测量电极
专利权的终止
摘要

本实用新型提供一种制作简单、成本低的新型的锑/氧化锑pH测量电极。它包括制作在基板上的锑/氧化锑氢离子选择电极和与之配套的参比电极,所述锑/氧化锑氢离子选择电极包括厚膜印刷而成碳浆层,碳浆层表面电镀有氧化锑层。本实用新型可以通过厚膜印刷和电镀相结合的工艺制作锑/氧化锑pH测量电极,能大大降低金属材料的消耗,并且,可以在各种不同的基底材料上,如陶瓷、高分子材料等制作pH测量电极,以满足不同使用场合的需要。另外,采用厚膜印刷工艺,可以方便的制备各种不同形状和大小的电极,实现批量生产。

基本信息
专利标题 :
一种新型的锑/氧化锑pH测量电极
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820085700.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-04-09
授权号 :
CN201247218Y
授权日 :
2009-05-27
发明人 :
叶璟
申请人 :
叶璟
申请人地址 :
310012浙江省杭州市西湖区马塍路34-1-302
代理机构 :
浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人 :
刘晓春
优先权 :
CN200820085700.5
主分类号 :
G01N27/333
IPC分类号 :
G01N27/333  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/22
通过测试电容量
G01N27/24
测试缺陷的存在
G01N27/333
离子选择电极或膜
法律状态
2012-06-27 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101273513526
IPC(主分类) : G01N 27/333
专利号 : ZL2008200857005
申请日 : 20080409
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20110409
2009-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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