无级调压装置
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种无级调压装置,包括电位器、可控硅和变压器,所述电位器的输出端与可控硅的控制极相连,控制可控硅导通角的大小,进而控制可控硅的负载电压;所述可控硅的输出端与变压器的输入端相连,用于控制变压器的输入电压使得变压器输出至坩锅的电压发生变化。其中所述可控硅可为双向可控硅;所述电位器可为有机实芯电位器、线绕电位器、合成膜电位器或多圈电位器。本实用新型采用可控硅电路的软接触,通过电路控制改变负载电压,操作简单,维护方便,同样到达了调压的目的,减少了故障率,清除了设备隐患。

基本信息
专利标题 :
无级调压装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820092794.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-03-26
授权号 :
CN201199673Y
授权日 :
2009-02-25
发明人 :
邹建和
申请人 :
深圳深爱半导体有限公司
申请人地址 :
518029广东省深圳市福田区八卦三路光纤小区2栋3楼
代理机构 :
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
郑小粤
优先权 :
CN200820092794.9
主分类号 :
H02M5/257
IPC分类号 :
H02M5/257  
法律状态
2017-05-17 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101719587810
IPC(主分类) : H02M 5/257
专利号 : ZL2008200927949
申请日 : 20080326
授权公告日 : 20090225
终止日期 : 20160326
2011-12-28 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101249912682
IPC(主分类) : H02M 5/257
专利号 : ZL2008200927949
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳深爱半导体有限公司
变更后 : 深圳深爱半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518029 广东省深圳市福田区八卦三路光纤小区2栋3楼
变更后 : 518118 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
2009-02-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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