防热散失挡板以及含有该挡板的扩散炉
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种防热散失挡板以及含有该挡板的扩散炉,所述挡板包括:一横截面与扩散炉内腔配合之板体,所述板体下部设有可与扩散炉底部凸台配合固定之缺口,所述板体上部还设有一卡口。其中,所述板体由碳化硅制成,或所述板体外层由石英制成,内层填充石英棉。本实用新型采用不透光的物体作为挡板,最大程度地屏蔽了射线辐射防止了热散失,更好地保持了硅片扩散结深的一致性,减少因为结深达不到设定值而返工的情况;并且本实用新型可以减少对设备造成的损坏,延长了扩散炉的寿命,降低了成本。
基本信息
专利标题 :
防热散失挡板以及含有该挡板的扩散炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820093920.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-05-07
授权号 :
CN201207384Y
授权日 :
2009-03-11
发明人 :
于祝鹏
申请人 :
深圳深爱半导体有限公司
申请人地址 :
518029广东省深圳市福田区八卦三路光纤小区2栋3楼
代理机构 :
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
郑小粤
优先权 :
CN200820093920.2
主分类号 :
H01L21/22
IPC分类号 :
H01L21/22 C30B31/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散,例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料,电极材料;杂质材料的再分配,例如,不引入或去除过多的掺杂剂
法律状态
2016-06-22 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101667732793
IPC(主分类) : H01L 21/22
专利号 : ZL2008200939202
申请日 : 20080507
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20150507
号牌文件序号 : 101667732793
IPC(主分类) : H01L 21/22
专利号 : ZL2008200939202
申请日 : 20080507
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20150507
2011-12-28 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101249912675
IPC(主分类) : H01L 21/22
专利号 : ZL2008200939202
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳深爱半导体有限公司
变更后 : 深圳深爱半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518029 广东省深圳市福田区八卦三路光纤小区2栋3楼
变更后 : 518118 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
号牌文件序号 : 101249912675
IPC(主分类) : H01L 21/22
专利号 : ZL2008200939202
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳深爱半导体有限公司
变更后 : 深圳深爱半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518029 广东省深圳市福田区八卦三路光纤小区2栋3楼
变更后 : 518118 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
2009-03-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN201207384Y.PDF
PDF下载