制冷装置
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种制冷装置,包括直流电源、与所述直流电源串联的“N”型半导体及“P”型半导体,所述“N”型半导体及“P”型半导体相互间隔串联,通过把“N”型半导体与所述“P”型半导体的截面面积的取值范围为0.8096平方毫米至1.4020平方毫米,所述“N”型半导体或“P”型半导体的高度的取值范围为1.012毫米至1.7528毫米。减少了材料的使用,而制冷效果不变,使产品成本降低。

基本信息
专利标题 :
制冷装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820096136.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-07-31
授权号 :
CN201262497Y
授权日 :
2009-06-24
发明人 :
李达华廖大慈
申请人 :
美固电子(深圳)有限公司
申请人地址 :
518033广东省深圳市福田区福华一路卓越大厦1402-1404室(1D楼)
代理机构 :
深圳市顺天达专利商标代理有限公司
代理人 :
高占元
优先权 :
CN200820096136.7
主分类号 :
F25B21/02
IPC分类号 :
F25B21/02  
相关图片
IPC结构图谱
F
F部——机械工程;照明;加热;武器;爆破
F25
制冷或冷却;加热和制冷的联合系统;热泵系统;冰的制造或储存;气体的液化或固化
F25B
制冷机,制冷设备或系统;加热和制冷的联合系统;热泵系统
F25B
制冷机,制冷设备或系统;加热和制冷的联合系统;热泵系统
F25B21/00
应用电或磁效应的制冷机器、装置或系统
F25B21/02
应用珀耳贴效应;应用能斯特—厄廷豪森效应
法律状态
2018-08-24 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : F25B 21/02
申请日 : 20080731
授权公告日 : 20090624
2009-06-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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