一种防反插电路

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种防反插电路，包括：电源接口，用于分别与电源的正极和负极连接，为受电电路供电；至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，位于所述电源接口与受电电路之间，所述电源接口与外接直流电源正极和负极正确连接时，所述MOSFET开启，使得所述电源接口为受电电路供电；所述电源接口与外接直流电源正极和负极反向连接时，所述MOSFET关闭，断开所述电源接口与受电电路之间的连接。通过使用本实用新型，在防反插电路技术中使用MOSFET，有效的实现了对电路反插情况下对内部受电电路的保护，同时降低了防反插电路技术中的功耗。

基本信息

专利标题：

一种防反插电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820107945.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-03-27

授权号：

CN201174586Y

授权日：

2008-12-31

发明人：

洪建明郝琳琳

申请人：

杭州华三通信技术有限公司

申请人地址：

310053浙江省杭州市高新技术产业开发区之江科技工业园六和路310号华为杭州生产基地

代理机构：

北京挺立专利事务所

代理人：

叶树明

优先权：

CN200820107945.3

主分类号：

H02H7/10

IPC分类号：

H02H7/10 H04Q1/14

法律状态

2018-04-20 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : H02H 7/10
申请日 : 20080327
授权公告日 : 20081231

2017-05-31 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101752106914
IPC(主分类) : H02H 7/10
专利号 : ZL2008201079453
变更事项 : 专利权人
变更前 : 杭州华三通信技术有限公司
变更后 : 新华三技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 310053 浙江省杭州市高新技术产业开发区之江科技工业园六和路310号华为杭州生产基地
变更后 : 310052 浙江省杭州市滨江区长河路466号

2008-12-31 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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