一种降低单晶硅炉能耗的装置

专利权的终止

摘要

本实用新型属于一种降低单晶硅炉能耗的装置，采用在石英坩埚上端的炉膛内设有由导流内筒和导流外筒所组成的导流筒，在炉膛内保温层上端设有下保温盖，导流筒上端边与下保温盖内周边连成一体，下保温盖上端间隔距离设有上保温盖，上下保温盖之间的空间设有保温材料层，石墨电极周边与炉底护盘和石墨埚杆周边之间设有保温板。本实用新型能有效提高单晶硅炉的保温性能，可大幅度降低单晶硅炉的能耗，有提高硅晶质量，降低制作成本的优点。

基本信息

专利标题：

一种降低单晶硅炉能耗的装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820109321.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-07-18

授权号：

CN201217710Y

授权日：

2009-04-08

发明人：

朱仁德刘旭峰

申请人：

北京天能运通晶体技术有限公司

申请人地址：

100034北京市西城区德胜门外大街11号C座3室

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人：

闫立德

优先权：

CN200820109321.5

主分类号：

C30B15/00

IPC分类号：

C30B15/00