单结铜铟镓硫薄膜太阳能电池
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及太阳能电池技术，特别涉及一种化合物半导体薄膜单结铜铟镓硫CuInGaS2太阳电池技术，其特征在于；它是依次在玻璃，不锈钢板，特制塑胶板衬底1，上，电镀钼Mo或钛Te层作电极2，然后再应用多靶濺射沉积法在衬底1，上先濺射铜层Cu，再濺射铟层In，和镓层Ga，而后在硫的气氛中H2S或S粉的低温炉中作硫化处理后可得到具有黄铜矿结构的铜铟镓硫CuInGaS2多晶膜3，再相继在铜铟镓硫CuInGaS2表面3，上，采用濺射法溅射氧化锌ZnO过渡层4，和透明导电膜AzO层5，再镀減反射层6，最后镀金属柵极7，用于输出电流的结构。其优点为；性能稳定，转化率高、成本低、原料丰富，可大面积生产。
基本信息
专利标题 ：
单结铜铟镓硫薄膜太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820112680.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-04-17
授权号 ：
CN201352562Y
授权日 ：
2009-11-25
发明人 ：
郭玉钦郭君涛
申请人 ：
郭君涛
申请人地址 ：
471003河南省洛阳市涧西区谷水新新家园3-1-202
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200820112680.6
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/032
法律状态
2011-06-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101081291908
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL2008201126806
申请日 : 20080417
授权公告日 : 20091125
终止日期 : 20100417
号牌文件序号 : 101081291908
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL2008201126806
申请日 : 20080417
授权公告日 : 20091125
终止日期 : 20100417
2009-11-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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