一种整流电桥电路
专利权的终止
摘要

本实用新型提供了一种整流电桥电路,包含两个PMOS管、和两个NMOS管。PMOS管一的漏极和衬底、PMOS管二的漏极和衬底连接构成输出的正极;NMOS管一的源极和衬底、NMOS管二的源极和衬底连接构成输出的负极。该电路一个输入端同时连接到PMOS管一源极、PMOS管二栅极、NMOS管一漏极、和NMOS管二栅极,其另一个输入端连接到PMOS管二源极、PMOS管一栅极、NMOS管二漏极、和NMOS管一的栅极。该电路还可包含两个二极管,两个二极管的阳极分别连接所述整流电桥电路的两个输入端;其阴极彼此相连,并同时连接到两个PMOS管各自的漏极和衬底。如此便实现了一种低压降、易集成的整流电桥电路结构。

基本信息
专利标题 :
一种整流电桥电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820115926.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-06-04
授权号 :
CN201204552Y
授权日 :
2009-03-04
发明人 :
颜景龙刘星李风国赖华平张宪玉
申请人 :
北京铱钵隆芯科技有限责任公司
申请人地址 :
100098北京市海淀区大钟寺13号院华杰大厦11B12
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200820115926.5
主分类号 :
H02M7/219
IPC分类号 :
H02M7/219  
相关图片
法律状态
2018-06-29 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H02M 7/219
申请日 : 20080604
授权公告日 : 20090304
2015-08-26 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更前 : 北京铱钵隆芯科技有限责任公司
变更后 : 北京铱钵隆芯科技有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100085 北京市海淀区上地东路1号盈创动力A座601室
变更后 : 100097 北京市海淀区蓝靛厂路金源时代商务中心A座11F
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101719711061
IPC(主分类) : H02M 7/219
专利号 : ZL2008201159265
变更事项 : 专利权人
2015-08-19 :
文件的公告送达
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101719510650
IPC(主分类) : H02M 7/219
专利号 : ZL2008201159265
专利申请号 : 2008201159265
收件人 : 杨春
文件名称 : 手续合格通知书
2011-02-02 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101066278280
IPC(主分类) : H02M 7/219
专利号 : ZL2008201159265
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京铱钵隆芯科技有限责任公司
变更后 : 北京铱钵隆芯科技有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100098 北京市海淀区大钟寺13号院华杰大厦11B12
变更后 : 100085 北京市海淀区上地东路1号盈创动力A座601室
2009-03-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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