高透光导电膜系

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种高透光导电膜系，包括透明基层，在透明基层的一表面依次复合的由高折射率无机介质膜、低折射率无机介质膜依次交错排列形成的至少两层无机介质膜的无机介质膜层，复合于无机介质膜层最外层的透明导电膜层，透明导电膜层的厚度为满足方块电阻需要的厚度8～60nm，高透光导电膜系在380nm～780nm光波长范围内整体透过率达到85％以上。本实用新型具有高电阻稳定性和高透光性，适用于制造高透光导电材料，特别适用于耐温能力在200℃以下的基材制成的导电材料。

基本信息

专利标题：

高透光导电膜系

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820140579.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-10-07

授权号：

CN201266244Y

授权日：

2009-07-01

发明人：

甘国工

申请人：

甘国工

申请人地址：

610100四川省成都市龙泉驿区经济技术开发区星光中路103号东泰(成都)工业有限公司

代理机构：

成都立信专利事务所有限公司

代理人：

江晓萍

优先权：

CN200820140579.1

主分类号：

G02B1/11

IPC分类号：

G02B1/11 G02B1/10 B32B7/02 B32B9/04 B32B33/00 B32B17/06 B32B27/06