单晶电熔氧化铝晶粒控制装置

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装熔体氧化铝的模体，其特征在于：所述模体外围设置有一用于控制模体温度的温控层。本实用新型在模体外围设置温控层，可以有效控制模体内熔体氧化铝结晶的时间，从而可有效控制单晶电熔氧化铝晶粒的大小，以满足成品的不同需要。

基本信息

专利标题：

单晶电熔氧化铝晶粒控制装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820145769.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-10-07

授权号：

CN201265052Y

授权日：

2009-07-01

发明人：

叶旦旺

申请人：

福建三祥工业新材料有限公司

申请人地址：

355500福建省宁德市寿宁县城关解放街292号

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司

代理人：

蔡学俊

优先权：

CN200820145769.2

主分类号：

C30B29/20

IPC分类号：

C30B29/20 C04B35/657

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/16

氧化物

C30B29/20

铝的氧化物

法律状态

2010-12-29 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101028286857
IPC(主分类) : C30B 29/20
专利号 : ZL2008201457692
申请日 : 20081007
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20091109

2009-07-01 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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