一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件
专利权的终止
摘要
一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件，其特征在于：在光电器件光敏面基片的光入射面镀一层可将紫外辐射转换为可见光的Zn2SiO4:Mn膜层；与硅基成像器件光敏面基片致密结合。该膜层将紫外光转化为可见光；所述的Zn2SiO4:Mn膜层，Zn2SiO4和Mn的质量比为Zn2SiO4∶Mn＝100∶2.4。本实用新型所制备的硅基成像器件紫外响应无机薄膜具有较好的转化效率，其发射峰值波长为525nm，恰好在CCD等探测器的最敏感响应波段；无机变频薄膜克服了随时间衰减老化的问题，能够有效增强硅基成像器件对紫外光的敏感度。
基本信息
专利标题 ：
一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820152199.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-08-21
授权号 ：
CN201270249Y
授权日 ：
2009-07-08
发明人 ：
刘猛张大伟田鑫倪争技黄元申庄松林
申请人 ：
上海理工大学
申请人地址 ：
200093上海市军工路516号
代理机构 ：
上海东创专利代理事务所
代理人 ：
宁芝华
优先权 ：
CN200820152199.X
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L27/148 H01L31/09 H01L31/0232
法律状态
2011-11-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101127310891
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL200820152199X
申请日 : 20080821
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20100821
号牌文件序号 : 101127310891
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL200820152199X
申请日 : 20080821
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20100821
2009-09-02 ：
著录事项变更
变更事项 : 发明人
变更前 : 刘猛;张大伟;田鑫;倪争技;黄元申;庄松林
变更后 : 刘猛;皮道锐;杜文超;张大伟;田鑫;倪争技;黄元申;庄松林
变更前 : 刘猛;张大伟;田鑫;倪争技;黄元申;庄松林
变更后 : 刘猛;皮道锐;杜文超;张大伟;田鑫;倪争技;黄元申;庄松林
2009-07-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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