具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池，以晶体硅为基片，依次包括：减反射和钝化膜[1]，N型硅层[2]，PN结[3]，P型硅层[4]，背面钝化层[5]，P型层引出电极[6]从非受光面引出。根据本实用新型，硅基片上分布有从硅片受光面N型硅层[2]穿过PN结[3]、P型硅层[4]，背面钝化层[5]的孔或槽；在这些孔或槽中分布有N型硅烧结体[7]，N型层引出电极[8]与之连接，从非受光面引出。本实用新型实现电池电极全部由背表面引出，取得了转换效率高、极连方便、可靠性高等有益效果。
基本信息
专利标题 ：
具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820154380.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-10-23
授权号 ：
CN201364904Y
授权日 ：
2009-12-16
发明人 ：
李涛勇
申请人 ：
李涛勇
申请人地址 ：
200000上海市闵行区春申五村39号501室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200820154380.4
主分类号 ：
H01L31/06
IPC分类号 ：
H01L31/06 H01L31/068 H01L31/0224
法律状态
2012-12-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101371119750
IPC(主分类) : H01L 31/06
专利号 : ZL2008201543804
申请日 : 20081023
授权公告日 : 20091216
终止日期 : 20111023
号牌文件序号 : 101371119750
IPC(主分类) : H01L 31/06
专利号 : ZL2008201543804
申请日 : 20081023
授权公告日 : 20091216
终止日期 : 20111023
2009-12-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
