快恢复二极管芯片
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种快恢复二极管芯片，包括金属阴极和金属阳极，杂质类型不同的第一掺杂层和第二掺杂层，以及氧化层和钝化层，所述第二掺杂层设置在第一掺杂层内；氧化层连接在第一掺杂层和第二掺杂层的上部，钝化层连接在氧化层的上部，氧化层和钝化层上开有窗口，金属阳极设置在窗口内，金属阳极的底面与第二掺杂层连接，金属阳极上部的场板与钝化层的上表面相连。本实用新型将钝化层设置在氧化层的上部，氧化层和钝化层连续完成生长，可利用钝化层的屏蔽作用，将原来的四次光刻减少到2次或1次，工艺周期缩短1/4，大大降低了制作成本。
基本信息
专利标题 ：
快恢复二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820185880.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-09-16
授权号 ：
CN201256151Y
授权日 ：
2009-06-10
发明人 ：
刘利峰张景超李栋良赵善麒
申请人 ：
江苏宏微科技有限公司;深圳市晶导电子有限公司
申请人地址 ：
213022江苏省常州市华山中路18号
代理机构 ：
常州市维益专利事务所
代理人 ：
贾海芬
优先权 ：
CN200820185880.4
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861
法律状态
2017-11-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/861
申请日 : 20080916
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20160916
申请日 : 20080916
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20160916
2009-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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