本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用后制绒工艺的太阳能电池。它包括硅片，硅片表面下通过扩散工艺形成的高掺杂区和低掺杂区，将通过扩散工艺形成的高掺杂区和低掺杂区的上层作为制绒层，在高掺杂区和低掺杂区内的制绒层制绒以形成绒层。在理想状态，高掺杂区的截面形状应该是上下宽度一致的，但是在实际生产中，高掺杂区的截面上宽下窄呈现漏斗状，为此在扩散完成后，进行制绒，在制绒过程中，会使高掺杂区一薄层被去除，相应的高掺杂区的厚度降低，高掺杂区的截面此时更接近于上下宽度一致的理性状态。最终生产出来的太阳能电池的转换效率更高。