高阻尼吸振平台结构

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种高阻尼吸振平台结构，包含一基座；一框体结构，以定位结构定位在该基座上，该框体结构中具有一阻尼材料填充空间；一阻尼填充材，填充于该框体结构中的阻尼材料填充空间；一上盖板，盖覆在该阻尼填充材上作为机台承置面，供一标的机台承置，借由将组成平台的几何构件单纯化、模组化，搭配以轻质的阻尼填充材，辅以阻尼接着剂结合、强化，构成一同时具有模组化、轻量化且高刚性特性的高阻尼吸振系统平台结构。

基本信息

专利标题：

高阻尼吸振平台结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820208272.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-09-10

授权号：

CN201277422Y

授权日：

2009-07-22

发明人：

蔡宏毅

申请人：

台湾奈米科技应用股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台北市

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

董惠石

优先权：

CN200820208272.0

主分类号：

F16M11/00

IPC分类号：

F16M11/00 F16F7/10 F16F15/02 G12B9/08