CMOS电流自动控制晶体振荡器
避免重复授权放弃专利权
摘要
本实用新型涉及一种CMOS电流自动控制Colpittis晶体振荡器，能够使CMOS振荡电路启动时快速建立振荡，振荡产生后又很快调整偏置，使振荡电路稳定在维持振荡的最小电流状态。技术方案：包括振荡电路(1)、幅度检测电路(2)、自动增益控制电路(3)、电流源(4)和电平检测单元(5)；其中电流源(4)接振荡电路(1)，振荡电路(1)信号输出端接振荡信号幅度检测电路(2)，幅度检测电路(2)信号输出端接自动增益控制电路(3)，自动增益控制电路(3)的反馈信号输出端接电流源(4)用以控制偏置电流；振荡电路(1)的信号输出端还接电平检测单元(5)，电平检测单元(5)的关断信号输出端接电流源(4)和自动增益控制电路(3)。
基本信息
专利标题 ：
CMOS电流自动控制晶体振荡器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820212071.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-09-27
授权号 ：
CN201298823Y
授权日 ：
2009-08-26
发明人 ：
王澜袁远
申请人 ：
美芯集成电路(深圳)有限公司
申请人地址 ：
518057广东省深圳市南山区高新科技园科技中二路软件园一期四栋516室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200820212071.8
主分类号 ：
H03B5/38
IPC分类号 ：
H03B5/38 H03G3/30
法律状态
2011-07-20 ：
避免重复授权放弃专利权
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101115692775
IPC(主分类) : H03B 5/38
专利号 : ZL2008202120718
申请日 : 20080927
授权公告日 : 20090826
放弃生效日 : 20080927
号牌文件序号 : 101115692775
IPC(主分类) : H03B 5/38
专利号 : ZL2008202120718
申请日 : 20080927
授权公告日 : 20090826
放弃生效日 : 20080927
2009-08-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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