具有沟槽绝缘场板和金属场板的横向高压集成器件

授权

摘要

一种高压集成器件包括：源极区和漏极区，设置在半导体层内并且彼此间隔开；漂移区，设置在半导体层内并且包围漏极区；沟道区，限定在半导体层内并且在源极区与漂移区之间；沟槽绝缘场板，设置在漂移区内；凹陷区，设置在沟槽绝缘场板内；金属场板，设置在沟槽绝缘场板之上，并且填充凹陷区；栅绝缘层，设置在沟道区之上，并且延伸在漂移区之上和沟槽绝缘场板之上；以及栅电极，设置在栅绝缘层之上。

基本信息

专利标题：

具有沟槽绝缘场板和金属场板的横向高压集成器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN106571393A

申请号：

CN201610638717.8

公开（公告）日：

2017-04-19

申请日：

2016-08-05

授权号：

CN106571393B

授权日：

2022-04-15

发明人：

朴圣根

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

王建国

优先权：

CN201610638717.8

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78

法律状态

2022-04-15 ：

授权

2018-09-14 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20160805

2017-09-19 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101759365101
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2016106387178
登记生效日 : 20170830
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 爱思开海力士有限公司
变更后权利人 : 爱思开海力士系统集成电路有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国忠淸北道

2017-04-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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