超平面化旋涂碳材料

授权

摘要

提供了在单个薄层涂覆工艺中在使得表面平面化的同时在基材上填充通道和/或沟槽的平面化和旋涂‑碳(SOC)组合物。组合物可以使得具有约20nm至约220nm宽、且高达约700nm深的通道或沟槽的基材宽度范围平面化。这些出色的性质来自于在材料中使用的聚合物的低分子量、聚合物上的热不稳定保护基团、以及延迟的交联反应。

基本信息

专利标题：

超平面化旋涂碳材料

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107787520A

申请号：

CN201680036475.3

公开（公告）日：

2018-03-09

申请日：

2016-06-21

授权号：

CN107787520B

授权日：

2022-04-05

发明人：

钟幸福黄润辉张伯禹

申请人：

布鲁尔科技公司

申请人地址：

美国密苏里州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

江磊

优先权：

CN201680036475.3

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/033 C09D179/08 C09D131/02

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2022-04-05 ：

授权

2018-06-22 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20160621

2018-03-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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