基材的处理方法、暂时固定用组合物及半导体装置
授权
摘要
本发明提供一种基材的处理方法，其为在经由暂时固定材将基材暂时固定于支撑体上的状态下进行基材的加工·移动处理的方法，可通过剥离和/或溶剂清洗而容易地将自支撑体分离基材后残留于基材上的粘接层去除。本发明的基材的处理方法依次包括：形成层叠体的步骤，所述层叠体具有支撑体、暂时固定材以及基材，所述暂时固定材为具有与所述基材中的支撑体侧的面接触且由含有选自聚苯并噁唑前体及聚苯并噁唑中的至少一种聚合物的组合物形成的暂时固定材层(I)、以及形成于所述层(I)中的支撑体侧的面上且含有光吸收剂的暂时固定材层(II)的暂时固定材；对所述基材进行加工，和/或使所述层叠体移动的步骤；对所述层(II)照射光的步骤；自所述支撑体分离所述基材的步骤；以及自所述基材去除所述层(I)的步骤。
基本信息
专利标题 ：
基材的处理方法、暂时固定用组合物及半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107851551A
申请号 ：
CN201680041470.X
公开（公告）日 ：
2018-03-27
申请日 ：
2016-07-22
授权号 ：
CN107851551B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
丸山洋一郎森隆水野光
申请人 ：
JSR株式会社
申请人地址 ：
日本东京港区东新桥一丁目9番2号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
陶敏
优先权 ：
CN201680041470.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2018-04-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20160722
申请日 : 20160722
2018-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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