可调的远程分解
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摘要
描述了相对于第二暴露部分选择性蚀刻图案化基板的暴露部分的方法。蚀刻工艺是气相蚀刻，该气相蚀刻使用在与等离子体流出物组合之前于任何等离子体中并未被激发的氧化前驱物，所述等离子体流出物是在来自惰性前驱物的远程等离子体中形成。等离子体流出物可在无等离子体远程腔室区域和/或在无等离子体基板处理区域中与氧化前驱物组合。等离子体流出物的组合激发氧化前驱物并且从该图案化基板的暴露部分移除材料。蚀刻速率是可控制的且可选择的，这是通过调整氧化前驱物的流率或是未被激发/等离子体激发的流率比例来达成的。
基本信息
专利标题 ：
可调的远程分解
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107924839A
申请号 ：
CN201680047101.1
公开（公告）日 ：
2018-04-17
申请日 ：
2016-06-10
授权号 ：
CN107924839B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
S·朴K·D·沙茨S·郑D·卢博米尔斯基
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
侯颖媖
优先权 ：
CN201680047101.1
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/67 H01L21/3213 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2018-08-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20160610
申请日 : 20160610
2018-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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