一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法
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摘要
一种将半导体衬底主体（2）与其上功能层进行分离的方法，包括以下步骤：在半导体衬底（1）上表面进行离子注入，离子注入深度为0.1μm‑100μm，离子注入后在半导体衬底（1）表面下产生一层离子损伤层（3）；在半导体衬底（1）上表面制备功能层；将半导体衬底（1）和其上功能层进行分离。该方法在离子注入后的衬底（1）上先进行功能层的制备，然后在离子损伤层（3）进行分离，且直接在半导体衬底（1）表面进行电子器件的制备，由于离子的注入深度决定了半导体衬底（1）的厚度，半导体衬底（1）具有与SOI薄膜相同的作用效果，且不需要键合工艺，减少了生产工艺，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108140608A
申请号 ：
CN201680053855.8
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2016-09-14
授权号 ：
CN108140608B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
胡兵马亮裴晓将刘素绢
申请人 ：
胡兵
申请人地址 ：
江苏省南京市玄武区台城路台城花园5幢101室
代理机构 ：
北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
戴丽伟
优先权 ：
CN201680053855.8
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2018-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20160914
申请日 : 20160914
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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