具偏移歧管的内部清洗喷洒器
授权
摘要
本发明提供一种用于衬底容器的清洗塔组合件。所述组合件可包含用于安装到衬底容器的底板的清洗接口本体，所述清洗接口本体包含基座部分及顶部部分。所述基座部分可包含基本上管状基座侧壁且所述顶部部分可具有定位于所述基座部分的顶部边缘上的顶部侧壁。所述顶部部分可包含用于通过所述底板中的后部入口安装的入口喷嘴。所述入口喷嘴可具有从所述顶部侧壁向上延伸且界定所述入口喷嘴的内部的基本上管状侧壁。所述基座部分及所述顶部侧壁可界定安置成连接到所述基座部分及所述入口喷嘴的偏移导管部分，所述基座部分及所述入口喷嘴经由所述偏移导管部分流体连通。
基本信息
专利标题 ：
具偏移歧管的内部清洗喷洒器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108028217A
申请号 ：
CN201680055979.X
公开（公告）日 ：
2018-05-11
申请日 ：
2016-09-02
授权号 ：
CN108028217B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
K·格拉万J·J·金M·富勒
申请人 ：
恩特格里斯公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
顾晨昕
优先权 ：
CN201680055979.X
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L21/02 H01L21/677 B65D51/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2018-06-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/673
申请日 : 20160902
申请日 : 20160902
2018-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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