一种FPGA中双端口SRAM阵列的内建自测和修复系统及其...
授权
摘要

本发明公开了一种FPGA中双端口SRAM阵列的内建自测和修复系统,包含:检测模块,用于获取内建自测过程的开始信号;自测试模块,包含:测试波形产生单元,用于产生不同的测试波形及读写控制信号;故障检测单元,用于比较从SRAM阵列的端口中读出的数据与预期数据,若不一致,则产生故障指示信号;存储单元,用于记录读出的数据、预期数据以及读出的数据与预期数据的对比结果;切换单元,用于切换测试的端口;还包含自修复模块,用于根据故障指示信号及对比结果对SRAM阵列进行修复。本发明还公开了一种内建自测和修复方法。本发明将双端口SRAM阵列配置成A端口写B端口读或者B端口写A端口读来测试,保证测试故障覆盖率高,并且测试和修复的效率高。

基本信息
专利标题 :
一种FPGA中双端口SRAM阵列的内建自测和修复系统及其方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108511029A
申请号 :
CN201710099765.9
公开(公告)日 :
2018-09-07
申请日 :
2017-02-23
授权号 :
CN108511029B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
张伟国俞军方刘禄俞剑刘跃智张爱丽
申请人 :
上海复旦微电子集团股份有限公司
申请人地址 :
上海市杨浦区国泰路127号复旦科技园4号楼
代理机构 :
上海信好专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
周乃鑫
优先权 :
CN201710099765.9
主分类号 :
G11C29/44
IPC分类号 :
G11C29/44  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验;备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试,例如,在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置,例如,内置的自检装置
G11C29/44
错误指示或识别,例如,修复
法律状态
2022-04-05 :
授权
2018-10-09 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/44
申请日 : 20170223
2018-09-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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