一种磁性随机存储器底电极接触及其形成方法
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摘要
本发明提供了一种磁性随机存储器底电极接触及其形成方法，采用在通孔Vx(x>＝1)上制作底电极接触。同时，由于底电极接触的顶部的截面积要比后续的超薄势垒层的截面积稍大，那么，在底电极接触周围的表面不平整将不会转移到后续的势垒层之上，非常有利于制作平整的超薄势垒层，有利于磁性隧道结磁性，电学和良率的提高，减少了工艺复杂程度和节约了制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种磁性随机存储器底电极接触及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108735893A
申请号 ：
CN201710244620.3
公开（公告）日 ：
2018-11-02
申请日 ：
2017-04-14
授权号 ：
CN108735893B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
张云森肖荣福郭一民陈峻
申请人 ：
上海磁宇信息科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
代理机构 ：
上海容慧专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
于晓菁
优先权 ：
CN201710244620.3
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/12 G11C11/16
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-02-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/08
申请日 : 20170414
申请日 : 20170414
2018-11-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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