用于高纵横比共形自由基氧化的蒸汽氧化反应
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摘要
基板氧化组件包括：界定处理容积的腔室主体；设置在处理容积中的基板支撑件；耦接到处理容积的等离子体源；流动耦接到处理容积的蒸汽源；和基板加热器。一种处理半导体基板的方法包括：开始基板的高纵横比结构的共形自由基氧化，包括：加热基板；以及将基板暴露于蒸汽；以及共形氧化基板。半导体器件包括含硅和氮层；在含硅和氮层中形成的具有至少40:1的纵横比的特征；以及在特征面上的氧化层，所述氧化层在含硅和氮层的底部区域中具有的厚度是顶部区域中的氧化层的厚度的至少95％。
基本信息
专利标题 ：
用于高纵横比共形自由基氧化的蒸汽氧化反应
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107818906A
申请号 ：
CN201710827129.3
公开（公告）日 ：
2018-03-20
申请日 ：
2017-09-14
授权号 ：
CN107818906B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
克里斯托弗·S·奥尔森泰万·基姆
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201710827129.3
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/02 H01L27/11524
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-09-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20170914
申请日 : 20170914
2018-03-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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