超细纳米晶锗基材料、其制备方法及应用
授权
摘要
本发明公开了一种超细纳米晶锗基材料、其制备方法及其应用。所述超细纳米晶锗基材料的X射线衍射谱(XRD)主峰位置2θ范围在26°‑28°之间，所述衍射峰主峰半高宽为0.3rad‑1.6rad，所述纳米晶尺寸为2nm‑20nm。所述超细纳米晶锗基材料具有容量高、循环稳定的特点。所述超细纳米晶锗基材料的制备方法，该方法简单易行、成本低廉、可大规模应用。
基本信息
专利标题 ：
超细纳米晶锗基材料、其制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107706385A
申请号 ：
CN201710893642.2
公开（公告）日 ：
2018-02-16
申请日 ：
2017-09-28
授权号 ：
CN107706385B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
邱新平罗飞
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园1号
代理机构 ：
北京金信知识产权代理有限公司
代理人 ：
张皓
优先权 ：
CN201710893642.2
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/02
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-10-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20170928
申请日 : 20170928
2018-02-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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