一种复合隔膜及其制备方法
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摘要

本发明提供一种复合隔膜的制备方法,所述制备方法至少包括:首先,提供基体膜,将所述基体膜置于磁控溅射腔体内;然后,以低熔点的聚合物为第一靶材材料,在所述基体膜两侧表面溅射低熔点聚合物涂层;最后,以陶瓷材料为第二靶材材料,在所述聚合物涂层表面溅射陶瓷涂层。该复合隔膜厚度为19‑40μm,孔隙率为40%‑70%,平均孔径为0.1μm‑0.5μm,闭孔温度为80‑160℃,破膜温度为250‑450℃。该方法对设备要求低、成本低廉,适用于大规模工业化连续生产。所制备的复合隔膜具有优越的耐高温性能、热关断性能、良好的电解质润湿性及机械性能。另外,隔膜中的陶瓷涂层与基体材料黏结性能优越,无掉粉现象。

基本信息
专利标题 :
一种复合隔膜及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108039439A
申请号 :
CN201711174510.0
公开(公告)日 :
2018-05-15
申请日 :
2017-11-22
授权号 :
CN108039439B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
程跃彭锟
申请人 :
上海恩捷新材料科技股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区南芦公路155号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
余明伟
优先权 :
CN201711174510.0
主分类号 :
H01M2/14
IPC分类号 :
H01M2/14  H01M2/16  H01M10/0525  
法律状态
2022-06-14 :
授权
2022-01-14 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01M 2/14
变更事项 : 申请人
变更前 : 上海恩捷新材料科技股份有限公司
变更后 : 上海恩捷新材料科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201399 上海市浦东新区南芦公路155号
变更后 : 201399 上海市浦东新区南芦公路155号
2018-06-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 2/14
申请日 : 20171122
2018-05-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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