硒光电倍增管及其制造方法
授权
摘要
提供一种场成形多井光电倍增管及其制造的方法。光电倍增管包括场成形多井雪崩探测器，包括下绝缘体、a‑Se光电导层和上绝缘体。该a‑Se光电导层位于下绝缘体和上绝缘体之间。沿光电倍增管的长度设置光相互作用区域、雪崩区域和收集区域，并且光相互作用区域和收集区域位于雪崩区域的相对侧。
基本信息
专利标题 ：
硒光电倍增管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108886071A
申请号 ：
CN201780015816.3
公开（公告）日 ：
2018-11-23
申请日 ：
2017-01-09
授权号 ：
CN108886071B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
阿米尔侯赛因·戈登赵伟
申请人 ：
纽约州立大学研究基金会
申请人地址 ：
美国纽约州奥尔巴尼市
代理机构 ：
广州新诺专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李德魁
优先权 ：
CN201780015816.3
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0376 H01L31/054
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2018-12-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20170109
申请日 : 20170109
2018-11-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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