场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统

授权

摘要

一种场效应晶体管，具有：栅电极，用于施加栅极电压；源电极和漏电极，用于传输电信号；有源层，其形成在所述源电极和漏电极之间；和栅极绝缘层，其形成在所述栅电极和有源层之间，所述场效应晶体管的特征在于，所述有源层包括至少两种氧化物层，层A和层B；并且所述有源层满足以下条件(1)和/或条件(2)。条件(1)：所述有源层包括3个或更多个氧化物层，其包括2个或更多个层A。条件(2)：所述层A的带隙低于所述层B的带隙，且所述层A的氧亲和力等于或高于所述层B的氧亲和力。

基本信息

专利标题：

场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108886058A

申请号：

CN201780018536.8

公开（公告）日：

2018-11-23

申请日：

2017-03-16

授权号：

CN108886058B

授权日：

2022-05-03

发明人：

植田尚之中村有希安部由希子松本真二曾根雄司早乙女辽一新江定宪草柳岭秀

申请人：

株式会社理光

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

王增强

优先权：

CN201780018536.8

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 G09F9/30 H01L51/50 H05B33/02 H05B33/14

法律状态

2022-05-03 ：

授权

2018-12-18 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20170316

2018-11-23 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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