包含硅片的负极材料以及制备硅片的方法
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摘要
本发明涉及包含硅片作为活性材料的负极材料和制备硅片的方法，其中硅片由下面的化学式1表示并具有超气孔结构。xSi·(1‑x)A(1)其中，在上述化学式中，0.5≤x≤1.0；A是杂质，它是选自由Al2O3、MgO、SiO2、GeO2、Fe2O3、CaO、TiO2、Na2O、K2O、CuO、ZnO、NiO、Zr2O3、Cr2O3和BaO组成的组中的至少一种化合物。
基本信息
专利标题 ：
包含硅片的负极材料以及制备硅片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109478642A
申请号 ：
CN201780021589.5
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2017-08-18
授权号 ：
CN109478642B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
黄义龙朴寿真柳在建金将培蔡宗铉洪东基
申请人 ：
株式会社LG化学;蔚山科学技术院
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨海荣
优先权 ：
CN201780021589.5
主分类号 ：
H01M4/38
IPC分类号 ：
H01M4/38 H01M4/36 H01M4/134 C01B33/021
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法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-04-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/38
申请日 : 20170818
申请日 : 20170818
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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