磁体设计
授权
摘要
提供了磁体设计。一种方法通过在磁体组件的各片之间引入一个或多个间隙来定制磁体的磁场均匀性。
基本信息
专利标题 ：
磁体设计
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109964288A
申请号 ：
CN201780068153.1
公开（公告）日 ：
2019-07-02
申请日 ：
2017-10-05
授权号 ：
CN109964288B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
汤一乔I.布卢Y-Q.宋M.弗劳姆T.博托宇津泽慎
申请人 ：
斯伦贝谢技术有限公司
申请人地址 ：
荷兰海牙
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
卢亚静
优先权 ：
CN201780068153.1
主分类号 ：
H01F7/02
IPC分类号 ：
H01F7/02 H01F41/02
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法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-10-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 7/02
申请日 : 20171005
申请日 : 20171005
2019-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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