固态存储设备及其最优读出阈值电压的搜索方法

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摘要

本申请提供固态存储设备及其最优读出阈值电压的搜索方法，搜索方法包括：根据第一搜索范围中心值、增量的第一值以及候选读出阈值电压的数量的第二值生成多个第一读命令；依据第一读命令的读出结果获得第一优选读出阈值电压；用第一优选读出阈值电压更新搜索范围中心值，作为第二搜索范围中心值；递减增量和/或候选读出阈值电压的数量；依据第二搜索范围中心值、递减后的增量以及递减后的候选读出阈值电压的数量生成多个第二读命令，并根据第二读命令的读出结果获取第二优选读出阈值电压；将第二优选读出阈值电压作为最优读出阈值电压。

基本信息

专利标题：

固态存储设备及其最优读出阈值电压的搜索方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110120234A

申请号：

CN201810120383.4

公开（公告）日：

2019-08-13

申请日：

2018-02-07

授权号：

CN110120234B

授权日：

2022-04-15

发明人：

邱亚钦薛立成王祎磊

申请人：

北京忆芯科技有限公司

申请人地址：

北京市海淀区创业中路32号楼32-1-1-167室

代理机构：

北京卓特专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

段宇

优先权：

CN201810120383.4

主分类号：

G11C7/04

IPC分类号：

G11C7/04 G11C16/26 G11C16/30 G11C16/34