吸附装置和调节物料平面度的方法
授权
摘要
本发明提供了一种吸附装置和调节物料平面度的方法，所述吸附装置包括底座和安装在所述底座上的顶板，所述底座和所述顶板之间形成有一腔体；所述底座上具有第一气体入口、第二气体入口和多个第一孔洞，所述第一气体入口与所述腔体连通，所述第二气体入口与所述第一孔洞连通；所述顶板上有多个第二孔洞和多个第三孔洞，所述第二孔洞与所述腔体连通，用于吸附放置于所述顶板上的物料，所述第三孔洞与所述第一孔洞对应，用于调节放置于所述顶板上的物料的平面度。通过向第二孔洞提供气体使其吸附物料于顶板上，观察物料平面度，若平面度不达标，则向第三孔洞提供气体使其再次被吸附，并调节被吸附的物料的平面度。
基本信息
专利标题 ：
吸附装置和调节物料平面度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110323170A
申请号 ：
CN201810276639.0
公开（公告）日 ：
2019-10-11
申请日 ：
2018-03-30
授权号 ：
CN110323170B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
王继明宋光辉
申请人 ：
上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张东路1525号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201810276639.0
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/68
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-11-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20180330
申请日 : 20180330
2019-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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