带校准型归一化桥接电容转换电路
授权
摘要
带校准型归一化桥接电容转换电路,包括桥接电容和由数据位电容构成的低N位电容阵列、高M位电容阵列,所有数据位电容的电容值均为单位电容值的整数倍,其倍数与其数据位权重值相对应,所述低N位电容阵列仅由N个低位电容构成,每个低位电容对应一个数据位;所述桥接电容的电容值为1个单位电容值;桥接电容和数据位电容均由X个独立的单位电容组成,X为自然数,取值由该电容所在位置确定,每个单位电容的电容值为1个单位电容值;高M位电容阵列中,每个电容都与一个修调阵列配对连接,N‑X≤10。本发明保证整个电荷重分布电容阵列均为单位电容,同时在高X位均增加电容修调阵列,保证最终成品电路精度达到12位及以上精度要求。
基本信息
专利标题 :
带校准型归一化桥接电容转换电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108649957A
申请号 :
CN201810450924.X
公开(公告)日 :
2018-10-12
申请日 :
2018-05-11
授权号 :
CN108649957B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
杨平岑远军李大刚李永凯王波廖志凯
申请人 :
成都华微电子科技有限公司
申请人地址 :
四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层
代理机构 :
成都惠迪专利事务所(普通合伙)
代理人 :
刘勋
优先权 :
CN201810450924.X
主分类号 :
H03M1/46
IPC分类号 :
H03M1/46
法律状态
2022-04-15 :
授权
2022-03-25 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H03M 1/46
变更事项 : 申请人
变更前 : 成都华微电子科技有限公司
变更后 : 成都华微电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层
变更后 : 610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区益州大道中段1800号1栋22-23层2201、2301号
变更事项 : 申请人
变更前 : 成都华微电子科技有限公司
变更后 : 成都华微电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层
变更后 : 610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区益州大道中段1800号1栋22-23层2201、2301号
2018-11-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03M 1/46
申请日 : 20180511
申请日 : 20180511
2018-10-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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