具有能隙渐变的电洞阻隔层的异质接面双极性晶体管结构

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摘要

本发明提供一种具有能隙渐变的电洞阻隔层的异质接面双极性晶体管结构，包括一由N型III‑V族半导体形成并设置在一基板上的次集极层；一由N型III‑V族半导体形成并设置在次集极层上的集极层；一设置在集极层上的电洞阻隔层；一由P型III‑V族半导体形成并设置在电洞阻隔层上的基极层；一设置在基极层上并由N型能隙大于基极层的III‑V族半导体形成的射极层；一由N型III‑V族半导体形成并设置在射极层上的射极盖层；和一由N型III‑V族半导体形成并设置在射极盖层上的欧姆接触层；其中电洞阻隔层的能隙由基极层向集极层方向至少包含由小而大的能隙渐变且最大能隙大于基极层与集极层的能隙，可有效增进元件整体电气特性。

基本信息

专利标题：

具有能隙渐变的电洞阻隔层的异质接面双极性晶体管结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109671770A

申请号：

CN201810461188.8

公开（公告）日：

2019-04-23

申请日：

2018-05-15

授权号：

CN109671770B

授权日：

2022-04-05

发明人：

金宇中黄朝兴曾敏男陈凯榆

申请人：

全新光电科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾桃园市

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

许静

优先权：

CN201810461188.8

主分类号：

H01L29/737

IPC分类号：

H01L29/737 H01L21/331