二硫化钼在制作奇次谐波微波倍频器中的应用
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摘要
本发明公开了一种二硫化钼在制备奇次谐波微波倍频器的应用，所述奇次谐波微波倍频器包括腔体、分别位于腔体两端的输入同轴接头和输出同轴接头、与腔体匹配的盖板，所述腔体内设有二硫化钼倍频器高频基片，所述二硫化钼倍频器高频基片包括高频基片、设置在高频基片上分别与微带线输入同轴接头和输出同轴接头连接的微带线，所述微带线间设有间隙，且间隙间设有二硫化钼。本发明利用了二硫化钼良好的非线性的微波特性，将其是适用于倍频器等非线性器件，采用二硫化钼制成的倍频器，非线性性能好，不会产生回波信号，线路设计非常简单，且倍频效果好，三次倍频损耗与基波相当。
基本信息
专利标题 ：
二硫化钼在制作奇次谐波微波倍频器中的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108768303A
申请号 ：
CN201810573484.7
公开（公告）日 ：
2018-11-06
申请日 ：
2018-06-06
授权号 ：
CN108768303B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
方勇罗俊松陈会丽侯学师盛浩轩宋庆艳钟晓玲郭勇
申请人 ：
成都理工大学
申请人地址 ：
四川省成都市成华区二仙桥东三路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201810573484.7
主分类号 ：
H03B19/16
IPC分类号 ：
H03B19/16
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2018-11-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03B 19/16
申请日 : 20180606
申请日 : 20180606
2018-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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