包括具有增强功能的包埋式绝缘层的晶体管元件
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摘要
在复杂的SOI晶体管元件中，包埋式绝缘层可以特别地设计成包含非标准介电材料。例如，可以将电荷俘获材料和/或高k介电材料和/或介电材料结合到包埋式绝缘层中。这样，可以获得具有优良性能的非易失性存储晶体管元件和/或可以提高反向偏置机构的效率。
基本信息
专利标题 ：
包括具有增强功能的包埋式绝缘层的晶体管元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109087947A
申请号 ：
CN201810606518.8
公开（公告）日 ：
2018-12-25
申请日 ：
2018-06-13
授权号 ：
CN109087947B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
R·里希特J·W·珀斯S·拜尔S·丁克尔S·钱德拉谢卡尔Z-Y·吴
申请人 ：
格芯公司
申请人地址 ：
开曼群岛大开曼岛
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
吴鹏
优先权 ：
CN201810606518.8
主分类号 ：
H01L29/772
IPC分类号 ：
H01L29/772 H01L29/06
相关图片
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-12-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 29/772
登记生效日 : 20201202
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20201202
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2019-01-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/772
申请日 : 20180613
申请日 : 20180613
2018-12-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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