使用自对准注入和封盖制造太阳能电池发射极区
授权
摘要
描述了使用自对准注入和封盖制造太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池的发射极区的方法涉及在基板上方形成硅层。所述方法还涉及穿过模板掩模将掺杂物杂质原子注入所述硅层中，以形成所述硅层的具有相邻未注入区的注入区。所述方法还涉及穿过所述模板掩模在所述硅层的所述注入区上并与所述注入区实质对准形成封盖层。所述方法还涉及移除所述硅层的所述未注入区，其中在所述移除期间，所述封盖层对所述硅层的所述注入区加以保护。所述方法还涉及对所述硅层的所述注入区进行退火，以形成掺杂多晶硅发射极区。
基本信息
专利标题 ：
使用自对准注入和封盖制造太阳能电池发射极区
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109065641A
申请号 ：
CN201810769142.2
公开（公告）日 ：
2018-12-21
申请日 ：
2014-11-25
授权号 ：
CN109065641B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
蒂莫西·韦德曼
申请人 ：
太阳能公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾丽波
优先权 ：
CN201810769142.2
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0224 H01L31/028 H01L31/0352 H01L31/0368 H01L31/068 H01L31/18
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-01-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0216
申请日 : 20141125
申请日 : 20141125
2018-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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