一种超低功耗偏置的射频开关
授权
摘要
本发明提出了一种新的射频开关结构：每个射频开关包括一串联支路和一并联支路，通过不同射频开关的串联支路共用一个交流耦合电容、同一射频开关里的并联支路和串联支路共用一个交流耦合电容、移除同一射频开关的并联支路中靠近地的隔断晶体管和交流耦合电容，无需任何负压产生电路，并且相对于传统结构可以节省60％以上的电容面积。本发明在保持性能不变的同时，大大降低了芯片的面积和成本。
基本信息
专利标题 ：
一种超低功耗偏置的射频开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109088626A
申请号 ：
CN201810811570.7
公开（公告）日 ：
2018-12-25
申请日 ：
2018-07-21
授权号 ：
CN109088626B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
王晗
申请人 ：
安徽矽磊电子科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新产业园二期F1栋2206室
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
高宁馨
优先权 ：
CN201810811570.7
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-01-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/687
申请日 : 20180721
申请日 : 20180721
2018-12-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
