一种光取出层材料及其应用
授权
摘要
本发明以对称的1,3,4‑噻/噁二唑为核心基团，在其2,5位桥接电子云密度较大的刚性基团，形成一类具有高折射率的化合物。该化合物作为光取出层材料覆盖于阴极之上对器件进行修饰，进一步改善了由于全反射、光波导效应等造成的光在器件内部的损耗，避免热量积累造成的器件寿命和稳定性的下降，提高光取出效率。
基本信息
专利标题 ：
一种光取出层材料及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109111411A
申请号 ：
CN201811132267.0
公开（公告）日 ：
2019-01-01
申请日 ：
2018-09-27
授权号 ：
CN109111411B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
穆广园庄少卿任春婷
申请人 ：
武汉尚赛光电科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市高新大道999号未来科技城
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨立
优先权 ：
CN201811132267.0
主分类号 ：
C07D285/12
IPC分类号 ：
C07D285/12 C07D417/10 C07D417/14 C07D271/107 C07D413/10 C07D413/14 C07D417/04 C07D413/04 C09K11/06 H01L51/50 H01L51/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D285/00
杂环化合物，有氮原子和硫原子作为仅有的杂环原子的环，不包含在C07D275/00至C07D283/00组中
C07D285/01
五元环
C07D285/02
噻二唑；氢化噻二唑
C07D285/04
不和其他环稠合
C07D285/12
1,3,4-噻二唑；氢化1,3,4-噻二唑
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-08-09 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : C07D 285/12
登记生效日 : 20190719
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 武汉尚赛光电科技有限公司
变更后权利人 : 湖北尚赛光电材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 430075 湖北省武汉市高新大道999号未来科技城
变更后权利人 : 436070 湖北省鄂州市葛店开发区1#创业服务中心
登记生效日 : 20190719
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 武汉尚赛光电科技有限公司
变更后权利人 : 湖北尚赛光电材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 430075 湖北省武汉市高新大道999号未来科技城
变更后权利人 : 436070 湖北省鄂州市葛店开发区1#创业服务中心
2019-01-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07D 285/12
申请日 : 20180927
申请日 : 20180927
2019-01-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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