用于解决电迁移的布局构造
授权
摘要
公开了用于解决电迁移的布局构造。一互连层面上的第一互连将CMOS器件的第一PMOS漏极子集连接在一起。该互连层面上的第二互连将第二PMOS漏极子集连接在一起。第二PMOS漏极子集不同于第一PMOS漏极子集。第一互连和第二互连在该互连层面上断开。该互连层面上的第三互连将CMOS器件的第一NMOS漏极子集连接在一起。该互连层面上的第四互连将第二NMOS漏极子集连接在一起。第二NMOS漏极子集不同于第一NMOS漏极子集。第三互连和第四互连在该互连层面上断开。第一、第二、第三和第四互连通过至少一个其它互连层面耦合在一起。
基本信息
专利标题 ：
用于解决电迁移的布局构造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109148400A
申请号 ：
CN201811322947.9
公开（公告）日 ：
2019-01-04
申请日 ：
2014-08-21
授权号 ：
CN109148400B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
S·H·拉苏里A·达塔O·翁
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
周敏
优先权 ：
CN201811322947.9
主分类号 ：
H01L23/482
IPC分类号 ：
H01L23/482 H01L27/02 H01L27/092 H03K17/16 H03K17/687 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-01-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/482
申请日 : 20140821
申请日 : 20140821
2019-01-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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